SEM掃描電鏡的分析過程主要基于探測電子與樣品相互作用產生的各種信號。以下是掃描電鏡進行分析的詳細步驟和要點：

工作原理：

掃描電鏡通過頂部的電子光源（電子槍）發射電子，這些電子在加速電壓的作用下，經過電磁透鏡聚焦成極細的電子束。

電子束在樣品表面進行有序的光柵掃描，與樣品相互作用產生二次電子、背散射電子、X射線等多種信息。

信號檢測與成像：

二次電子和背散射電子等信號由相應的探測器檢測，并經過放大處理，Z終傳送到顯示屏上，調制顯示屏的亮度，形成與樣品表面相對應的顯微形貌圖像。

掃描電鏡采用逐行掃描、逐點成像的方法，將樣品表面的不同信息特征按順序成比例地轉換成視頻信號，Z終在熒光屏上觀察到放大的顯微形貌圖像。

主要分析信號：

二次電子：主要用于觀察樣品表面形貌，對表面狀態非常敏感。二次電子能量較低，主要來自樣品表面1~10nm深度范圍，因此二次電子像能很好地顯示試樣表面的微觀形貌。

背散射電子：能量大于50eV，小于入射電子能量E0，大部分約0.7~0.9E0。背散射電子信號不僅可以分析試樣形貌特征，而且可以顯示試樣化學組分特征，在一定的范圍內粗略進行定性分析試樣表面的化學組分分布情況。

特征X射線：通過激發試樣原子內層電子躍遷產生，用于定量分析樣品組成。

分析過程：

通過調節電子束在樣品表面掃描的幅度（As）來改變放大倍數，同時保持熒光屏陰極射線同步掃描的幅度（Ac）固定不變。

分辨率是SEM掃描電鏡的一個重要性能指標，它決定了能夠分析的Z小區域和能夠分辨兩點之間的Z小距離。

掃描電鏡具有大的景深，可以在聚焦完成后顯示一定縱深范圍內的清晰圖像，這使得觀察表面的凹凸不平信息更為便捷。

應用領域：

SEM掃描電鏡在材料學、物理學、化學、生物學、考古學、地礦學以及微電子工業等領域有廣泛的應用，可用于觀察和分析納米材料的結構、高分子材料的微觀形貌、金屬材料的微觀組織、陶瓷材料的晶相等多種類型的樣品。

注意事項：

樣品制備需要滿足一定的要求，如樣品B須是固體，滿足無毒、無放射性、無污染、無磁、無水、成分穩定等。

對于導電性差的樣品，需要進行鍍膜處理以增加導電性，并防止樣品的熱損傷。

通過上述步驟和要點，掃描電鏡能夠有效地對樣品進行高分辨率的表面形貌觀察和微區成分分析。