掃描電鏡作為納米至微米尺度形貌表征的核心工具，其操作技巧直接影響成像質量與數據可靠性。本文聚焦無品牌/型號的通用技術要點，提煉三個實戰經驗，助力研究者突破操作瓶頸，實現從“拍清晰”到“拍準確”的進階。

技巧一：樣品導電化處理——破解“電荷積累”難題

非導電樣品（如生物組織、陶瓷、高分子材料）在SEM掃描電鏡掃描時易因電荷積累產生圖像畸變（如局部發白、條紋偽影）。解決方案需分兩步走：其一，采用物理鍍膜法（如噴金、噴碳）在樣品表面形成導電層，厚度需控制在5-20nm以平衡導電性與形貌保留；其二，對于需保留原始表面化學信息的樣品（如催化劑），可采用低真空模式配合電子束衰減技術，通過調節腔體壓力（通常為10-1000Pa）中和電荷，避免鍍膜干擾。關鍵在于“動態平衡”——過度鍍膜會掩蓋表面細節，不足則導致電荷累積，建議通過試樣法確定Z佳鍍膜參數。

技巧二：加速電壓與工作距離的協同優化——從“經驗值”到“場景適配”

加速電壓（kV）與工作距離（mm）的組合直接影響成像分辨率與景深。高加速電壓（如15-30kV）雖能提高電子穿透能力，但可能損傷敏感樣品（如軟質生物材料）；低電壓（如1-5kV）則需配合短工作距離以獲得高分辨率，但易受樣品表面起伏影響。建議采用“階梯測試法”：先以中電壓（8-12kV）和中工作距離（8-12mm）獲取基準圖像，逐步調整參數至圖像細節清晰且無畸變。對于三維形貌樣品，可通過延長工作距離（12-15mm）擴大景深，或采用“傾斜掃描”模式（樣品臺傾斜10-30度）增強立體感。

技巧三：圖像偽影識別與數據矯正——從“圖像”到“真實”

掃描電鏡圖像中的偽影識別是數據解讀的關鍵。常見偽影包括：①“電荷斑點”，表現為局部過曝的白色圓斑，多由非導電區域電荷積累引起，需通過導電處理或調整掃描速度緩解；②“邊緣效應”，樣品邊緣圖像模糊或畸變，通常因電子束在邊緣處散射增強，可通過縮小掃描區域或增加幀平均次數改善；③“噪聲條紋”，因電子束不穩定或探測器故障導致，需檢查電子槍狀態或調整探測器增益。數據后處理時，推薦采用專業軟件（如ImageJ）進行背景校正、濾波處理和三維重建，同時保留原始數據以供復核。對于定量分析（如粒徑統計），需通過標準樣品（如金顆粒）校準放大倍數，確保數據準確性。

SEM掃描電鏡的操作精髓在于“協同”——在樣品導電性與形貌保留之間、在分辨率與景深之間、在偽影抑制與真實形貌保留之間找到Z優解。這三個技巧貫穿了從樣品制備到數據解讀的全流程，適用于生物、材料、地質等多領域的基礎研究。掌握這些底層邏輯，才能真正釋放掃描電鏡在微觀表征中的潛力，實現從“看清楚”到“看明白”的跨越。