掃描電鏡作為材料表征的核心工具，在樣品截面分析中具有不可替代的作用。與AFM原子力顯微鏡的納米級形貌表征不同，SEM掃描電鏡通過高能電子束與樣品相互作用，能夠揭示微米至納米尺度的三維結構特征，尤其在金屬斷口分析、半導體器件層間結合力評估及生物組織橫截面觀察等領域展現出獨特優勢。然而，掃描電鏡截面成像的質量高度依賴樣品制備規范性與操作參數合理性。本文將從制樣、裝樣、成像到數據分析的全流程，系統梳理SEM掃描電鏡拍攝樣品截面的關鍵技術要點。

一、樣品制備：決定成像質量的基石

1. 切割與固定

避免機械損傷：使用金剛石線切割機或離子束切割（FIB）替代傳統砂輪切割，減少截面熱損傷與機械變形。例如，在半導體芯片封裝體的截面分析中，FIB可實現亞微米級精度的無損切割。

防止污染：切割后立即用無水乙醇超聲清洗，去除表面油污與碎屑。對于有機材料（如高分子薄膜），需采用低溫等離子清洗避免溶劑腐蝕。

2. 鑲嵌與固定

導電性增強：對于絕緣體樣品（如陶瓷、塑料），需通過噴金（Au/Pd）或碳涂層處理，降低電荷積累效應。Z新研究顯示，采用石墨烯涂層可顯著提升導電性，同時減少表面形貌遮蔽。

熱穩定性優化：使用低溫環氧樹脂進行冷鑲嵌，避免高溫固化導致的樣品形變。例如，在鋰離子電池隔膜分析中，低溫鑲嵌可完整保留孔隙結構。

3. 拋光與蝕刻

機械拋光：采用多級金剛石拋光膏（從9μm逐步過渡至0.25μm），配合氧化鋁懸浮液進行Z終精拋，確保截面平整度優于100nm。

化學蝕刻：針對多相材料（如金屬基復合材料），通過選擇性蝕刻凸顯相界面。例如，使用Kroll試劑（HNO3+HF+H2O）蝕刻鈦合金，可清晰區分α相與β相。

二、裝樣與儀器校準：細節決定成敗

1. 樣品臺選擇

大尺寸樣品：使用傾斜旋轉樣品臺（Z大傾斜角可達90°），實現垂直截面與斜截面的靈活切換。

導電性差樣品：采用導電膠帶或銀漿固定，避免因接觸不良導致的圖像漂移。

2. 真空度控制

低真空模式：對于含水樣品（如生物組織），開啟低真空模式（壓力50-250Pa），減少電子束誘導的樣品膨脹。

真空泄露檢測：通過氦質譜檢漏儀定期檢測真空腔密封性，確保長期穩定性。

3. 像散校正

自動校正：利用掃描電鏡內置的像散校正程序，消除電子束橢球化效應。對于高分辨率成像（<5nm），需手動調整八極電磁透鏡參數。

三、成像參數優化：平衡分辨率與信噪比

1. 加速電壓選擇

高電壓（>15kV）：適用于導電樣品深層結構分析（如集成電路多層金屬互連），但可能降低表面形貌對比度。

低電壓（<5kV）：增強表面細節分辨率，但需注意電子穿透深度不足導致的信號衰減。例如，在鋰電池SEI膜分析中，3kV電壓可清晰顯示納米級薄膜結構。

2. 工作距離（WD）調控

小WD（<5mm）：提升分辨率，但景深減小，適用于平面樣品。

大WD（>10mm）：增大景深，適合三維截面成像。通過調整WD，可在單次掃描中同時獲取表面形貌與成分信息。

3. 信號采集模式

二次電子像（SE）：提供高分辨率形貌信息，但對樣品導電性敏感。

背散射電子像（BSE）：反映成分對比度，適用于多相材料相分布分析。例如，在合金鋼截面成像中，BSE可清晰區分鐵素體與滲碳體。

四、數據分析與圖像處理：從原始數據到科學結論

1. 圖像校準

亮度與對比度：通過線性拉伸增強細節，但需避免過處理導致的偽影。

幾何校正：利用SEM掃描電鏡軟件內置的標尺工具，修正圖像畸變（如梯形失真）。

2. 成分分析

EDS點掃：在關鍵區域進行元素定量分析，例如，在焊接接頭截面中，確定裂紋J端的雜質元素富集。

EBSD取向成像：結合電子背散射衍射技術，獲取晶體取向信息，揭示材料變形機制。

3. 三維重構

序列切片：通過FIB-SEM逐層切割與成像，重建樣品三維結構。例如，在神經元突觸分析中，三維重構可揭示樹突棘的動態變化。

五、常見問題與解決方案

隨著多模態掃描電鏡（如集成拉曼光譜、陰極熒光）的發展，截面分析正從形貌表征向成分-結構-性能關聯研究深化。例如，通過同步采集BSE圖像與EDS面掃數據，可實現材料失效機制的“指紋識別”。對于科研工作者而言，掌握SEM掃描電鏡截面成像的全流程技術，不僅是獲取高質量數據的基礎，更是揭示材料內在本質的關鍵鑰匙。